Вход |  Регистрация
 
   
 


Ранее

Более половины микросхем «Фобос-Грунта» нельзя было использовать для космоса

Космический аппарат «Фобос-Грунт» содержал 95 тыс. микросхем, 62% из которых не должны были использоваться в космической отрасли, т.к. имели класс Industry. Об этом сообщил журналистам руководитель межведомственной комиссии по расследованию причин аварии спутника Юрий Коптев.

Cерийные чипы 90 нм, сделанные в Зеленограде, могут появиться уже в апреле

Серийное производство микросхем с проектными нормами 90 нм может начаться на зеленоградском «Микроне» в апреле-мае. Об этом рассказал председатель совета директоров компании Геннадий Красников.

Операторы мобильной связи готовы к разворачиванию LTE-сетей

МТС, оператор мобильной связи, после модернизации 3 тыс. базовых станций 3G/GSM в Москве развернет сеть LTE в течение полугода с момента получения частот. Ранее оператор заявлял о готовности построить сеть четвертого поколения за год.

 

2 февраля 2012

«Ангстрем» скорее жив, чем мертв

Снова получив доступ к деньгам ВЭБа, зеленоградский «Ангстрем» возобновляет строительство фабрики по выпуску микрочипов с нормами 130-110 нм.

А

ссоциация предприятий микроэлектроники SEMI опубликовала тезисы докладов, которые прозвучат на ее конференции ISS Europe 2012 в Мюнхене в конце февраля. В том числе – в докладе директора по развитию бизнеса «Ангстрем-Т» Николая Лисая. В нем, в частности, говорится об $1 млрд инвестиций в фабрику, которая будет выпускать в месяц по 15 тыс. пластин диаметром 200 мм по технологии 110 нм на оборудовании AMD (сейчас, по данным группы «Ангстрем», ее предприятия выпускают транзисторы с технологическими нормами 600-1000 нм). В будущем «Ангстрем-Т» планирует создать «Бутик микроэлектроники», чтобы предоставлять «спектр научных, инженерных и производственных сервисов». А затем и внедрить линию для производства микросхем с нормами производства 45 и даже 28 нм.

Сосед «Ангстрема» — зеленоградский «Микрон» (часть «Ситроникса») — недавно запустил совместную с «Роснано» фабрику для производства чипов с нормами 90 нм.

«Ангстрем-Т» планировал запустить фабрику на оборудовании AMD еще в конце 2008 г. – под этот проект для него была открыта кредитная линия ВЭБа на 815 млн евро. «Это тот самый $1 млрд», — поясняет представитель группы «Ангстрем» Алексей Дианов. Использовать предприятие успело только 292 млн евро – приобрело оборудование AMD, ныне хранящееся на складе в Нидерландах. Ни в 2008, ни в 2009 гг. фабрика не заработала, а обслуживать кредит «Ангстрем-Т» не смог, и в 2010 г. ВЭБ пригрозил забрать залог — 100% собственности «Ангстрем-Т» с оборудованием AMD и лицензиями. Ситуацию спас Леонид Рейман – бывший министр связи (1999-2008 гг.) и советник президента (2008-2010 гг.), летом 2011 г. объявивший себя совладельцем одной из структур группы «Ангстрем». В октябре 2011 г. ВЭБ сообщил, что не только не заберет «Ангстрем-Т», но даже разморозит кредитную линию.

«Финансирование возобновлено, но строительство еще не началось», — говорит Дианов. «Пока идут тендеры на строительство инфраструктуры – основного корпуса, электростанции, газовой фабрики и т. д. Результаты будут к концу февраля 2012 г.», — обещает он. Основные сооружения будет строить российский генподрядчик, а «чистые комнаты» может создавать и иностранный, которого порекомендует M+W Group (немецкая группа, проектирующая строительные объекты). Телефон российского офиса M+W Group вчера не отвечал.

Пока деньги ВЭБа идут на финансирование текущих расходов – оплату хранения и страхования оборудования AMD, выплату налогов, зарплат и т.д., утверждает Дианов и подтверждает сотрудник пресс-службы ВЭБа.

Стоимость фабрики «под 110 нм» – не менее $500 млн и строительство займет два года, считает вице-президент «Ситроникса» Ирина Ланина. «Ситроникс» построил фабрику, работающую по технологии 90 нм, быстрее (примерно за 1,5 года), но у него уже была инфраструктура для чистой комнаты, поясняет она. А дальнейший переход на технологию с нормами 48 нм потребует строительства еще одного завода с нуля, уверена она.

«Большинство крупных компаний в полупроводниковой индустрии сейчас выпускают микросхемы с нормами менее 60 нм», — говорит региональный директор Intel в странах СНГ Дмитрий Конаш. Технологическая длина затворов транзисторов в нынешних процессорах Intel – 32 нм, и компания готовится к переходу на 22 нм. «Но вопрос не столько технологии производства чипов, сколько в успешности бизнес-модели», —  подчеркивает Конаш.

Источник: Ведомости



Читайте также:
Cерийные чипы 90 нм, сделанные в Зеленограде, могут появиться уже в апреле

Оцените материал:

function AddBookmark(url, title) { if (window.sidebar) { // Mozilla Firefox Bookmark window.sidebar.addPanel(title, url, ""); } else if( window.external ) { // IE Favorite window.external.AddFavorite( url, title); } else if(window.opera && window.print) { // Opera Hotlist return true; } } --> function ShowRecommend() { d = document.getElementById('recommendDiv'); if (d) { display = d.style.display; newValue = 'none'; switch (display) { case 'none': newValue = 'block'; break; default: newValue = 'none'; break; } d.style.display = newValue; } } -->

Комментарии

2 / 2
1

13 февраля, 07:42

Alex Karabuto

Бутик микроэлектроники - это сильно. :) Даешь процессоры от Армани со стразами и сертификатом, чтобы на корпус ПК наклеить!

23 февраля, 10:07

патриот Реальный

Этому оборудованию уже более 4-х лет. Ещё насколько лет на строительство и несколько лет на пуско-наладку. Кому будет нужна эта устаревшая продукция?

2 / 2
1
function CommentsLogin(f, err) { res = Login(f.login.value, f.password.value, false); if (res) { f.submit(); } else { err.style.display = 'block'; f.password.value= ''; return false; } } -->

Прокомментировать







 
 
 




--> --> --> -->--> -->
Руководителям  |  Разработчикам  |  Технологам  |  Снабженцам
© 2007 - 2012 Бранд Дзержинск - продвижение сайтов
Создание сайта — > ®
Контакты