Вход |  Регистрация
 
   
 


Ранее

Новый сканер отпечатков пальцев работает на расстоянии

Американская корпорация Advanced Optical Systems (AOS) представила сканер нового поколения, способный распознавать человеческие отпечатки пальцев на расстоянии до двух метров.

USB-микроскопы Dino-Lite с большим рабочим расстоянием

Высокое расположение микроскопа над фокальной плоскостью и весьма широкое поле обзора – уникальные свойства USB-микроскопов Dino-Lite серии 413TL, отличающие их от китайских клонов, требующих размещения оптики вплотную к объекту наблюдения и потому делающих невозможной всякую работу под объективом.

Intel и Micron сообщают о создании новой технологии NAND-памяти

Во время Международной встречи по электронным устройствам (International Electron Device Meeting, IEDM) корпорации Intel и Micron Technology подробно рассказали о новейшей разработке 25-нм технологии производства NAND-памяти. Для участников этого мероприятия был припасен сюрприз: оказалось, это первая технология с воздушным зазором в коммерческих кристаллах.

 

25 января

«Универсальная» память вместо флэш-памяти и DRAM

В Университете Северой Каролины разработана технология «универсальной» памяти, сочетающей быстродействие DRAM с энергонезависимостью и плотностью флэш-памяти.

Н

овая технология на основе полевых транзисторов с двойным плавающим затвором позволит снизить энергопотребление памяти в компьютерах всех типов, начиная от мобильных до настольных устройств, а также от серверных систем до центров обработки данных.

«Память, созданная на основе новой структуры с двойным плавающим затвором (см. рис.), будет такой же быстрой, как и DRAM, и столь же часто обновляться, но ее плотность сравнима с плотностью флэш-памяти», – заявил профессор Пол Францон (Paul Franzon) из Университета Северной Каролины.

Если в нынешней энергонезависимой памяти используются одиночные плавающие затворы, сохраняющие заряды в соответствии с логическими состояниями 0 или 1, то в технологии двойных плавающих затворов один из них используется для хранения разряда в энергонезависимой памяти, а второй – в энергозависимой. Таким образом, происходит переключение между статическим и динамическим режимами работы компьютерной памяти в одном цикле, причем данные не исчезают в промежуточном состоянии.

Электронная микрофотография поперечного сечения структуры полевого транзистора с двойным плавающим затвором
Электронная микрофотография поперечного сечения структуры полевого транзистора с двойным плавающим затвором

В двойных плавающих затворах происходит прямое туннелирование при сохранении заряда, представляющего собой биты информации. Этот механизм используется вместо горячей инжекции электронов, которая реализована во флэш-памяти. Первый плавающий затвор требует обновления заряда с той же частотой, что и в ячейке DRAM-памяти (каждые 16 мс). При увеличении напряжения значение заряда передается на второй плавающий затвор, который работает, как флэш-память, обеспечивающая долгосрочное энергонезависимое хранение.

В процессе работы компьютера полевые транзисторы с двойным плавающим затвором функционируют как обычная оперативная память. Но в моменты бездействия вычислительной системы значения зарядов, а, следовательно, и сами данные, передаются на второй плавающий затвор, чтобы прекратить подачу электропитания на кристаллы памяти. Как только требуется получить доступ к данным, второй плавающий затвор передает хранящийся заряд на первый затвор, и нормальная работа компьютера восстанавливается.

В настоящее время проходят испытания новой универсальной памяти на усталость, которая может возникнуть при повторяющихся циклах сохранения и получения данных из плавающих затворов и привести к исчезновению информации. Так, например, флэш-память работает в условиях таких высоких напряжениях при горячей инжекции электронов, что может выдержать лишь около 10 тыс. циклов чтения/записи данных. Полевые транзисторы с двойным плавающим затвором работают при более низких напряжениях, но лишь продолжительное циклическое тестирование способно подтвердить работоспособность прототипов.

Если опытные образцы пройдут все испытания, исследователи приступят к изготовлению полупроводниковой памяти нового типа. Эту задачу они надеются осуществить к следующему году.

Источник: ЭК

Оцените материал:

Источник: ИД Электроника

function AddBookmark(url, title) { if (window.sidebar) { // Mozilla Firefox Bookmark window.sidebar.addPanel(title, url, ""); } else if( window.external ) { // IE Favorite window.external.AddFavorite( url, title); } else if(window.opera && window.print) { // Opera Hotlist return true; } } --> function ShowRecommend() { d = document.getElementById('recommendDiv'); if (d) { display = d.style.display; newValue = 'none'; switch (display) { case 'none': newValue = 'block'; break; default: newValue = 'none'; break; } d.style.display = newValue; } } -->

Комментарии

0 / 0
0 / 0
function CommentsLogin(f, err) { res = Login(f.login.value, f.password.value, false); if (res) { f.submit(); } else { err.style.display = 'block'; f.password.value= ''; return false; } } -->

Прокомментировать







 
 
 




--> --> --> -->--> -->
Руководителям  |  Разработчикам  |  Технологам  |  Снабженцам
© 2007 - 2012 Бранд Дзержинск - продвижение сайтов
Создание сайта — > ®
Контакты