Вход |  Регистрация
 
   
 


Ранее

32 нм техпроцесс для радиочастотных устройств

На прошлой неделе на симпозиуме VLSI Circuits на Гавайях, корпорация Intel объявила о возможности создания СнК и РЧ-устрйоств по 32-нм технологии. Ее основу составляют транзисторы с диэлектриками high-k и металлическими затворами второго поколения.

Комплект программного обеспечения для медицинской визуализации

Представлены новые алгоритмы обработки изображений и укороченное время разработки для проектирования OEM на ЦСП C64x

Новые безвыводные корпуса для дискретных компонентов

NXP Semiconductors объявила о выпуске двух новых безвыводных корпусов для малосигнальных дискретных компонентов размером 2х2 мм с высотой всего 0,65 мм.

 

22 июня

Европейский проект NaNoC нацелен на разработку платформы Сеть-на-кристалле

Совместный Европейский проект под названием NaNoC (Nanoscale Silicon-Aware Network-on-Chip Design Platform) приступил к разработке платформы для будущей сети на кристале на основе многоядерных систем.

О

коло 2.9 млн. евро выделяется из европейского бюджета через Европейскую Комиссию, а остальное финансируют партнеры проекта, включая Technical University of Valencia, the University of Ferrara (Италия), the Simula Research Labs (Норвегия), Infineon Technologies AG (Германия), Teklatech A/S (Дания), iNoCs SàRL (Швейцария) и Lantiq (Германия).

При создании многоядерных СнК предстоит решить много проблем, например, связанных с физическими размерами. Камнем преткновения для создания многоядерных систем на кристалле с высокой степенью интеграции являются соединительные структуры. Для их построения, были предложены сети на кристалле – Networks-on-chip  (NoC). Они позволят не снижать производительности, благодаря параллельному принципу организации, посредством расположения одинаковых блоков в каждый ячейке матричной структуры.

NaNoC упрощает разработку, обеспечивая связь между различными уровнями  проектирования (например, физический уровень объединен с проектированием архитектуры) и определяет формат связи для совместимости средств проектирования.

Источник: EETimes

Оцените материал:

function AddBookmark(url, title) { if (window.sidebar) { // Mozilla Firefox Bookmark window.sidebar.addPanel(title, url, ""); } else if( window.external ) { // IE Favorite window.external.AddFavorite( url, title); } else if(window.opera && window.print) { // Opera Hotlist return true; } } --> function ShowRecommend() { d = document.getElementById('recommendDiv'); if (d) { display = d.style.display; newValue = 'none'; switch (display) { case 'none': newValue = 'block'; break; default: newValue = 'none'; break; } d.style.display = newValue; } } -->

Комментарии

0 / 0
0 / 0
function CommentsLogin(f, err) { res = Login(f.login.value, f.password.value, false); if (res) { f.submit(); } else { err.style.display = 'block'; f.password.value= ''; return false; } } -->

Прокомментировать







 
 
 




--> --> --> -->--> -->
Руководителям  |  Разработчикам  |  Технологам  |  Снабженцам
© 2007 - 2012 Бранд Дзержинск - продвижение сайтов
Создание сайта — > ®
Контакты